High Apparent Dielectric Constant Inside a Protein Reflects Structural Reorganization Coupled to the Ionization of an Internal Asp

نویسندگان
چکیده

برای دانلود باید عضویت طلایی داشته باشید

برای دانلود متن کامل این مقاله و بیش از 32 میلیون مقاله دیگر ابتدا ثبت نام کنید

اگر عضو سایت هستید لطفا وارد حساب کاربری خود شوید

منابع مشابه

High apparent dielectric constant inside a protein reflects structural reorganization coupled to the ionization of an internal Asp.

The dielectric properties of proteins are poorly understood and difficult to describe quantitatively. This limits the accuracy of methods for structure-based calculation of electrostatic energies and pK(a) values. The pK(a) values of many internal groups report apparent protein dielectric constants of 10 or higher. These values are substantially higher than the dielectric constants of 2-4 measu...

متن کامل

a structural survey of the polish posters

تصویرسازی قابلیتهای فراوانی را دارا است

15 صفحه اول

the aesthetic dimension of howard barkers art: a frankfurtian approach to scenes from an execution and no end of blame

رابطه ی میانِ هنر و شرایطِ اجتماعیِ زایش آن همواره در طولِ تاریخ دغدغه ی ذهنی و دل مشغولیِ اساسیِ منتقدان و نیز هنرمندان بوده است. از آنجا که هنر در قفس آهنیِ زندگیِ اجتماعی محبوس است، گسترش وابستگیِ آن با نهاد ها و اصولِ اجتماعی پیرامون، صرفِ نظر از هم سو بودن و یا غیرِ هم سو بودنِ آن نهاد ها، امری اجتناب ناپذیر به نظر می رسد. با این وجود پدیدار گشتنِ چنین مباحثِ حائز اهمییتی در میان منتقدین، با ظهورِ مکتب ما...

from linguistics to literature: a linguistic approach to the study of linguistic deviations in the turkish divan of shahriar

chapter i provides an overview of structural linguistics and touches upon the saussurean dichotomies with the final goal of exploring their relevance to the stylistic studies of literature. to provide evidence for the singificance of the study, chapter ii deals with the controversial issue of linguistics and literature, and presents opposing views which, at the same time, have been central to t...

15 صفحه اول

High dielectric constant oxides

The scaling of complementary metal oxide semiconductor (CMOS) transistors has led to the silicon dioxide layer used as a gate dielectric becoming so thin (1.4 nm) that its leakage current is too large. It is necessary to replace the SiO2 with a physically thicker layer of oxides of higher dielectric constant (κ) or ‘high K’ gate oxides such as hafnium oxide and hafnium silicate. Little was know...

متن کامل

ذخیره در منابع من


  با ذخیره ی این منبع در منابع من، دسترسی به آن را برای استفاده های بعدی آسان تر کنید

ژورنال

عنوان ژورنال: Biophysical Journal

سال: 2007

ISSN: 0006-3495

DOI: 10.1529/biophysj.106.090266